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[笔试] Intel笔试题---EE部分zt

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发表于 2008-8-22 09:21 |显示全部楼层 |正序浏览

Intel笔试题---EE部分zt
今天跟Matrix一起参加了Intel的笔试,CS和EE都参加了考试,记得一些题目,希望有
人把它补充完整,对明年的师弟师妹有所帮助。
Section-I:
1. 下面的离散函数那个函数是周期函数?
   A. cos(8n); B sin(2n*Pi-2); C. sin(Pi*n/2-2); D. sin(Pi*(n^2)-2);
2. 记不起来了。
3. 两个电容C相同,一个已经充满电,电压为2V,另外一个没有充电。当开关合上后,

   得到一堆的实验结果。其中之一就是发现两个电容上的能量相等,但是他们只和不等
于开关合上以前的总能量。问能量到那儿去了?
        ____________/ __________
        |                       |
      __|__                   __|__
      _____                   _____
        |                       |
        |_______________________|
   A. 导线的电阻吸收了;
   B. 开关的电阻吸收了;
   C. 好像是什么开关过程中的电磁场变化造成的...(记不清了)
   D. 电容的电阻吸收了;
   E. (记不起来了)。
4. 有一个两点的序列{1,1},做两点的FFT变换,然后四个选项判断第一,第二点值的是
否为零。
5. 在数字系统中,信号变化太快,会有如下那些结果?
   A. 好像是什么芯片的的电位浮动吧;
   B. 电平变化越快,di/dt越小;
   C. 可以增加系统的隔离作用;
   D. 忘了...
6.记不起来了;
Section-II:
7. 计算一个无限的电阻网络的阻值;
8. 在时域里描述niquist定律。
9.一个信号从离散的变到连续的,然后在一个冲击响应的作用下,
后又变为离散的,然后问一堆问题?(比较复杂一些)

 

 

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