1. 降低NMOS的开启电压VT的方法,哪种无效? C A. 减少衬底的P型掺杂浓度 B. 减少氧化层厚度 C. 增加源漏极的N型掺杂浓度 D. 减少沟道长度 2. IO PAD 的设计,一般不常考虑的因素 D A. ESD特性 B. 驱动能力 C. 施密特触发器 D. 衬偏效应 3. 逻辑电路低功耗设计中,无效的方法 C A. 采用慢速设计 B. 减少信号翻转 C. 减少IC面积 D. 采用较慢速的时钟。
assign find=0; always @(state) case(state) S0: begin find=0; if(data_in) next_state=S1; else next_state=S0; end S1: begin find=0; if(data_in) next_state=S2; else next_state=S0; end S2: begin find=0; if(!data_in) next_state=S3; else next_state=S0; end S3: begin find=0; if(!data_in) next_state=S4; else next_state=S0; end S4: begin if(!data_in) find=1; else find=0; next_state=S0; endcase
always@(posedge clk or negedge reset) if(!reset) begin state<=S0; end else stata<=next_state;